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VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统
VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
迁移效应
扩散阻挡层
可靠性
同类产品
金属线
电迁移
半导体
失效判定
自制
自动测试系统
摘要:
本文首先针对半导体可靠性测试项目-电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍.第二部分主要介绍自制电迁移自动测试系统开发的目的,并比较国外进口电迁移自动测试系统的效率,最后以实验证明自制电迁移自动测试系统的性能和功能可以取代进口的同类产品,达到降低企业成本及节省产品验证时程的目的.
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内容分析
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文献信息
篇名
VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统
来源期刊
中国集成电路
学科
工学
关键词
迁移效应
扩散阻挡层
可靠性
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电迁移
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失效判定
自制
自动测试系统
年,卷(期)
2004,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
71-75,78
页数
6页
分类号
TN307
字数
语种
中文
DOI
五维指标
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2004(0)
参考文献(0)
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研究主题发展历程
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迁移效应
扩散阻挡层
可靠性
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电迁移
半导体
失效判定
自制
自动测试系统
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
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中国集成电路
主办单位:
中国半导体行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-5289
CN:
11-5209/TN
开本:
大16开
出版地:
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
邮发代号:
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
4772
总下载数(次)
6
总被引数(次)
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