在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性

• 作者: 刘益春 单崇新 张振中 王晓华 范希武
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜物理学 Si衬底 ZnCdSe/ZnSe量子阱 低压金属有机化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光化学
• 页码范围: 297-300
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3|TN304.055
• 字数: 2949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.03.011

摘要

在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜.在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱.通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰.从发光谱中可见,在520 nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光(PL)谱未见发光.可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好,是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法.