微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化

• 作者: 徐现刚 李娟 李现祥 王继扬 胡小波 蒋民华 韩荣江
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅单晶 升华法 调制掺氮 微管 生长前沿
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: 1377-1380
• 页数: 4页
• 分类号: O771|O782
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.11.012

摘要

采用升华法生长调制掺氮的6H-SiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状.发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高.透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H-SiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处.氮元素掺杂可使6H-SiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娟	山东大学晶体材料国家重点实验室	127	921	17.0	26.0
2	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
3	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
4	蒋民华	山东大学晶体材料国家重点实验室	109	811	14.0	23.0
5	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
6	韩荣江	山东大学晶体材料国家重点实验室	12	33	4.0	5.0
10	李现祥	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	70	4.0	5.0