a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

• 作者: 阴生毅 陈光华
• 来源期刊: 物理
• 学科: 化学
• 关键词: a-Si:H薄膜 等离子体增强CVD 微波电子回旋共振等离子体CVD
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 272-277
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 6101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.04.009

摘要

文章回顾了a-Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR-CVD)技术.该技术的特点是:不含电极,可避免电极溅射造成的污染;等离子区离子密度高,对硅烷能高度分解,从而可显著提高薄膜生长速率;改变磁场位形和结构,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量.文章还分析了其制备a-Si:H薄膜存在的问题,提出了今后的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
2	阴生毅	北京工业大学材料科学与工程学院	9	34	3.0	5.0