退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响

• 作者: 宗福建 张锡健 王卿璞 肖洪地 计峰 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: MgZn1-xO薄膜 AFM XRD 退火
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1196-1198
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.336

摘要

采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	计峰	山东大学物理与微电子学院	23	185	7.0	13.0
3	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
4	肖洪地	山东大学物理与微电子学院	25	162	7.0	11.0
5	王卿璞	山东大学物理与微电子学院	32	527	13.0	22.0
6	张锡健	山东大学物理与微电子学院	18	195	7.0	13.0
7	宗福建	山东大学物理与微电子学院	13	37	5.0	5.0