热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜

• 作者: 吴越颖 宋雪梅 李瀛 王青 胡跃辉 荣延栋 阴生毅 陈光华 高卓
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si:H薄膜 热丝 光敏性 沉积速率
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 功能材料制备加工技术
• 页码范围: 3184-3186
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.895

摘要

我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.