(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究

• 作者: 俞波 廉鹏 李建军 沈光地 牛南辉 盖红星 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物汽相淀积 AlGaInP GaInP
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 红外材料器件
• 页码范围: 181-183
• 页数: 3页
• 分类号: TN244
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.03.012

摘要

对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度.为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础.