常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究

• 作者: 杜丕一 杜军 汪建勋 翁文剑 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 硅化钛 薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TQ171.72+4|TQ134.1+1
• 字数: 2966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.017

摘要

高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发现:反应在温度低于680℃时,为反应控制;在高于680℃时,为传质控制.在700℃,Si/Ti摩尔比为3时,生成的TiSi2为低电阻的正交面心晶型(C54)TiSi2.Ti5Si3相和Si相的存在,对薄膜电阻的降低不利.TiSi2晶相含量越多,结晶越好,则电阻越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜丕一	浙江大学硅材料国家重点实验室	80	880	17.0	27.0
2	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
3	翁文剑	浙江大学硅材料国家重点实验室	79	1088	20.0	30.0
4	汪建勋	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	263	8.0	16.0
5	杜军	浙江大学硅材料国家重点实验室	33	136	8.0	9.0