不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

• 作者: 丁碧妍 付兴华 侯文萍 傅正义 单连伟 韦其红
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基片 SBT薄膜 介电性能 结构特征
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.018

摘要

采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯文萍	济南大学材料学院	21	168	7.0	12.0
2	付兴华	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	56	382	10.0	17.0
4	傅正义	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	144	1583	22.0	32.0
5	单连伟	济南大学材料学院	6	35	3.0	5.0
6	丁碧妍	济南大学材料学院	5	27	2.0	5.0
9	韦其红	济南大学材料学院	7	27	3.0	4.0