GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

• 作者: 叶晓军 孙永伟 张秀兰 杨国华 陈良惠
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延MBE 硅掺杂 砷化镓 电化学C-V
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 红外材料器件
• 页码范围: 593-595
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3|TN305.3
• 字数: 1700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.08.016

摘要

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线.本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永伟	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	12	56	3.0	7.0
2	陈良惠	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	59	338	11.0	15.0
3	叶晓军	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	11	50	4.0	7.0
4	张秀兰	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	9	88	4.0	9.0
5	杨国华	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	11	72	3.0	8.0