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摘要:
讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法.实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法.
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文献信息
篇名 多晶硅微型电极阵列的研制
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 MEMS 微型电极阵列 多晶硅
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 317-319
页数 3页 分类号 TN256
字数 1996字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 温志渝 重庆大学光电工程学院 143 1259 18.0 26.0
2 张正元 重庆大学光电工程学院 8 67 6.0 8.0
3 吴英 25 127 6.0 10.0
7 江永清 15 62 5.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
MEMS
微型电极阵列
多晶硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
重庆市自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://law.ddvip.com/law/2006-09/11584979384040.html
项目类型:重点项目
学科类型:
论文1v1指导