SOI 动态阈值MOS 研究进展

• 作者: 毕津顺 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 低压低功耗 DTMOS 超大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 551-555,558
• 页数: 6页
• 分类号: TP393.01
• 字数: 4444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.024

摘要

随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOI DTMOS可以有效地解决这个问题.本文介绍了四种类型的SOI DTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能,具体分析了优化器件性能的五种方案,探讨了SOI DTMOS存在的优势和不足.最后指出,具有出色性能的SOI DTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0