低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展

• 作者: 宁兆元 闫继红
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数材料 氟化非晶碳薄膜 微电子器件 电阻 电容
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 20-22,35
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 5516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.06.006

摘要

目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题.着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理学院	70	528	12.0	18.0
2	闫继红	合肥学院数学与物理系	11	69	4.0	8.0