以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4 新结构SOI 自加热效应
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1722-1726
• 页数: 5页
• 分类号: TB386
• 字数: 446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.008

摘要

为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.