MOCVD系统中AlN生长速率的研究

• 作者: 李向阳 杨辉 梁骏吾 赵德刚 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlN 生长速率 寄生反应
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 氮基紫外器件与材料
• 页码范围: 877-879
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055|TN304.2+3
• 字数: 1848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.022

摘要

文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生长参数的关系.实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系.我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生.AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点.实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高AlGaN材料中的Al组分.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所	69	451	10.0	18.0
3	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所	110	438	10.0	14.0
4	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
5	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0