原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
随着微处理器运算速度的大幅度提高,对快速加法器的需求也越来越高.当vLSI工艺进入深亚微米阶段的时候,很多情况下,无论是在面积还是在时序上连线都起着决定性的作用.文章基于不同的CMOS工艺,针对三种不同结构的并行前缀加法器,在不同数据宽度的情况下进行性能比较,根据深亚微米下金属互连线对加法器性能的影响,挑选出适合深亚微米工艺的加法器结构.
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文献信息
篇名 并行前缀加法器的研究与实现
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 并行前缀加法器 KS结构 LF结构 BK结构
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 92-95
页数 4页 分类号 TP39
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.12.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 靳战鹏 西北工业大学计算机学院 7 80 5.0 7.0
2 沈绪榜 西北工业大学计算机学院 23 173 8.0 12.0
3 罗旻 西北工业大学计算机学院 8 94 7.0 8.0
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研究主题发展历程
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并行前缀加法器
KS结构
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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