HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备

• 作者: 任晓敏 王兴妍 王琦 马晓宇 高俊华 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 动态掩膜湿法腐蚀 选择性腐蚀 化学湿法腐蚀 楔形结构 InGaAsP
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1469-1474
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.035

摘要

利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0 28As06P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In072Ga0.28As06P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清		196	987	13.0	18.0
2	任晓敏		189	942	13.0	18.0
3	黄辉		59	282	10.0	12.0
4	王琦		82	480	13.0	19.0
5	王兴妍		12	89	7.0	9.0
6	马晓宇	中国科学院半导体研究所	6	36	4.0	6.0
7	高俊华	中国科学院半导体研究所	17	111	7.0	10.0