脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究

• 作者: ANDRY Legin 沈静琴 王平 许祝安 邹绍芳 门洪
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 薄膜化学传感器 光寻址电位传感器 脉冲激光沉积 硫系玻璃 Fe3+敏感
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 电气工程、数理科学
• 页码范围: 600-604
• 页数: 5页
• 分类号: O657.15
• 字数: 3668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.04.031

摘要

基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜,合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8,在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au,硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感,显示了良好的重复性和稳定性.在1×10-5～1×10-2mol/L呈现线性,斜率为(56±2)mV/decade,检测下限为5×10mol/L,当浓度高于1×10-4mol/L时,响应时间不超过40 s;当低于此浓度时,响应时间不超过2 min.