钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究

• 作者: 刘兴辉 曾凡光 朱长纯 王文卫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钴 多孔硅 场发射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 604-605,609
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.04.038

摘要

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5～1.5μm的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1～0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm.XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内.其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学真空微电子与微电子机械研究所	215	2372	22.0	41.0
2	曾凡光	西安交通大学真空微电子与微电子机械研究所	9	49	5.0	6.0
3	刘兴辉	西安交通大学真空微电子与微电子机械研究所	12	88	5.0	9.0
4	王文卫		1	5	1.0	1.0