高In组分Inx Ga1-x N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

• 作者: 孙长征 汪莱 罗毅 胡卉 邵嘉平 郝智彪 郭文平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InxGa1-xN/GaN多量子阱 电致荧光谱 内建电场
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3905-3909
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.076

摘要

研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝智彪		1	0	0.0	0.0