恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜

• 作者: 朱洁 李健
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu-In合金膜 电沉积 表面形貌 合金成分
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 667-672
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.06.019

摘要

以金属Ti为阳极,不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极,采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1:1、厚度为1μm且致密均匀的Cu-In薄膜.分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响.在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下,采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时,薄膜形貌、成分无差别,且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用.此外,在镀液离子低浓度范围内,及Cu/In离子浓度比不变的前提下,镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌;十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂,能改善薄膜形貌,使其表面均匀、规整.由该方法制备的Cu-In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洁	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	26	219	9.0	13.0
2	李健	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	18	207	9.0	13.0