LPCVD氮化硅薄膜的化学组成

• 作者: 刘学建 葛其明 黄智勇 黄莉萍
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 薄膜 化学组成 LPCVD
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 192-195
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.006

摘要

分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄莉萍	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	659	17.0	24.0
2	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所	54	555	16.0	20.0
3	黄智勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	239	8.0	11.0
4	葛其明	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	51	3.0	4.0