SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学

• 作者: 刘学建 葛其明 蒲锡鹏 黄智勇 黄莉萍
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 电子封装技术
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.10.012

摘要

以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄莉萍	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	659	17.0	24.0
2	蒲锡鹏	中国科学院上海硅酸盐研究所	9	106	5.0	9.0
3	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所	54	555	16.0	20.0
4	黄智勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	239	8.0	11.0
5	葛其明	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	51	3.0	4.0