用于高质量InGaN/GaN MQWs制备的MOCVD配气系统

• 作者: 李培咸 郝跃
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相淀积 多量子阱 配气系统
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 313-316
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05|TN304.2+3|TN304.054
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.04.013

摘要

本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量.本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	李培咸	西安电子科技大学微电子研究所	36	324	10.0	17.0