一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器

• 作者: 张官兴 张正璠 张红 高炜祺
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: A/D转换器 逐次逼近 寄存器
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 337-339,343
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.021

摘要

介绍了一种10位CMOS 逐次逼近型A/D转换器.在25 kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0～10 V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码.转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器.该转换器采用3 μm CMOS工艺制作,信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红		13	89	6.0	9.0
2	张正璠	中国电子科技集团公司第二十四研究所	17	94	6.0	9.0
3	高炜祺	中国电子科技集团公司第二十四研究所	5	9	2.0	3.0
4	张官兴		1	6	1.0	1.0