微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 戴广豪 李文杰 李竞春 杨谟华 王生荣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  389-391
    摘要: 基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析.仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI 结构Si...
  • 作者: 任俊彦 叶凡 易伟 李宁 杨莲兴 毛静文
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  392-395,399
    摘要: 介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路.电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等...
  • 作者: 仇玉林 吕铁良 赵冰 黑勇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  396-399
    摘要: 介绍一种采用异步实现结构的快速傅里叶变换处理器,该处理器的控制采用本地握手信号取代传统的系统时钟.给出了处理器中异步加法器的电路结构,设计了一个采用Booth译码Wallace tree结构...
  • 作者: 刘建 林海 王高峰 石新智
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  400-402,406
    摘要: 根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的...
  • 作者: 张道礼 朱全庆 李海华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  403-406
    摘要: 介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计.该A/D转换电路经过TSMC 0.13 μm 1P8M ...
  • 作者: 张波 曾天志 罗萍 蒲奎 赵露
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  407-410
    摘要: 提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度.此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级...
  • 作者: 严利人 具丽洁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  411-415
    摘要: 文章提出了对PCM参数进行正交化而建立起一套广义参数,再以广义参数为基础构建工艺状态空间的技术.在工艺状态空间中,作为工艺结果的测试值集的数据分布为多维椭球体;该椭球体随生产的进行而呈现出连...
  • 作者: 刘元安 南敬昌 黎淑兰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  416-419
    摘要: 介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位.以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱...
  • 作者: 杨国敏 毛军发 肖高标
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  420-423
    摘要: 利用时域反射技术(Time Domain Reflectometry, TDR),由测量得到的时域反射信号,可以重构出非均匀传输线的一些特征参数.当反射信号中混有噪声时,对非均匀传输线特性参...
  • 作者: 唐璞山 洪晟彦 王伶俐 童家榕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  424-427
    摘要: 在现场可编程门阵列中,加入总线结构,使现场可编程门阵列芯片能够支持带总线的电路网表.文章提出的布局软件有专门的模块处理总线的分配,并提供了布局软件的测试结果,以验证其可行性.
  • 作者: 侯立刚 吴武臣 李茉 谢通
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  428-431,436
    摘要: 提出了一种应用于芯片物理设计过程中IO单元自动排布的新算法.IO单元排布是芯片物理设计过程中长期依赖经验的环节.IO单元排布的优化对布线,电源网格和设计收敛性的优化有很大贡献.文章重点研究边...
  • 作者: 孟晓风 季宏 钟波 陈晓梅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  432-436
    摘要: 电子产品微型化使自动测试成为必然,而边界扫描技术则使自动测试成为可能.文章分析了1149.4和1149.1标准的测试访问端口,以及测试逻辑结构和测试协议的异同,提出了模拟边界扫描单元ABM和...
  • 作者: 尚晓丹 张佳 李威 王娜 王继安 龚敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  437-440,445
    摘要: 介绍了多级耦合结构高分辨率电荷再分配DAC级间耦合电容值的设计方法.重点讨论了如何根据寄生电容值,对耦合电容值进行优化.将该方法应用到一个16位电荷再分配逐次逼近A/D转换器的设计中.通过C...
  • 作者: 季峰 徐静平 李艳萍 许胜国 陈卫兵
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  441-445
    摘要: 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容.测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验.器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,...
  • 作者: 王志华 黄水龙
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  446-449,466
    摘要: 提出了一种用数字和模拟电路的方法实现宽调谐范围,减小VCO增益的方案.该方案将宽调谐范围分成一系列相互重叠的子带,用数字调谐电路来设置安排正确的子带频率,结合模拟调谐,锁相环(PLL)能锁定...
  • 作者: 姜岩峰 张媛媛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  456-460
    摘要: Σ-Δ A/D转换器是利用速度换取精度的高精度模拟/数字转换器.文章分析了Σ-Δ A/D转换器的产生、组成和优势,重点介绍了Σ-Δ调制器结构及其性能指标,简要介绍了数字抽取滤波器.对Σ-Δ ...
  • 作者: 练东 罗驰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  467-472
    摘要: 简要回顾了微电子封装的发展历程;描述了FC、BGA、CSP以及WLP的基本概念;归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途;着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程,最后简单介绍...
  • 作者: 刘家树 王斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  473-475
    摘要: 介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计.该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频.该滤波器具有跳频点数多...
  • 作者: 廖青 沈延钊 谭年熊 钟书鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  476-479
    摘要: 基于TSMC 0.25 μm工艺、采用电流开关结构,设计了一个3.3 V 12位400 M采样率的D/A转换器.在电路中,设计了一种新的电压限幅结构,从而使其具有较好的动态性能.该D/A转换...
  • 作者: 叶甜春 叶青 范军 高大明
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  480-483,487
    摘要: 针对A/D转换器中广泛使用的Flash单元,设计了一组由全差分预放大器、动态比较器和D触发器组成的电路.对电路的抗翻转噪声能力进行了分析和仿真,指出,通过改进全差分预放大器的共模反馈电路,有...
  • 作者: 刘玉奎 刘道广 王胜强 黄磊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  484-487
    摘要: 描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类.对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提...
  • 作者: 洪志良 缪卫明 苏彦锋
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  488-491
    摘要: 介绍了一个基于0.35 μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器的功率增益为10 d...
  • 作者: 陈永任 陈爱华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  492-494,497
    摘要: 介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计.该电路的传输延时为5 ns,工作电压范围±5~±12 V.文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法,分析了影响高速驱动器传输速度和...
  • 作者: 严祖树 岳素格 赵元富 边强
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  498-501
    摘要: 利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法.文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性...
  • 作者: 周佳筠 沈海斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  506-509
    摘要: 在一些复杂的SoC中,往往要使用嵌入式存储器,而双边访问的嵌入式存储器(DARAM)常用于许多低功耗的场合.这样,用时钟的双边沿来控制存储器的读写数据是不可避免的.这种时钟用作数据(cloc...
  • 作者: 张春 杨昆 王志华 麦宋平
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  510-513
    摘要: 提出了一个嵌入式多媒体应用平台,并详细介绍了它的设计与实现.该平台是一个基于MIPS架构的标量RISC,具有哈佛结构,5级流水线,虚拟内存管理,以及增强的多媒体处理能力.其最大特点是一个支持...
  • 作者: 余华 邹雪城 陈朝阳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  514-517
    摘要: 设计了一种内部集成控制电路和DMOS功率开关管的单片集成电流型PWM升压变换器.该芯片的开关频率为1.6 MHz,采用1.5 μm BCD工艺实现,具有很宽的输入电压范围(2.7~14 V)...
  • 作者: 潘海锋 韩雁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  518-521
    摘要: 提出了一种智能化漏电保护芯片.电路基于0.6 μm CMOS工艺、采用数模混合信号设计,并用全定制的方法实现.与现有模拟漏电保护芯片相比,该芯片具有较高的智能化:对输入信号是否有效进行辨识,...
  • 作者: 尚晓丹 张佳 李威 王娜 王继安 龚敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  522-525
    摘要: 通过对传统的电荷泵进行结构改进和参数优化,得到了一种高效率、低功耗的电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,分析了影响功耗和效率的因素.该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,大大降低了功耗;同时,再...
  • 作者: 周平 彭斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  529-532
    摘要: 温场测量是应用非常广泛的物理量测量方法.文章介绍了一种测量精度比较高的温场测量仪器的硬件设计和软件实现.阐述了温度从采集到测量、处理的各个环节;分析了影响仪器测量精度的各种因素,介绍了从软硬...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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