LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施

• 作者: 刘玉奎 刘道广 王胜强 黄磊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体工艺 低压化学汽相淀积 多晶硅 薄膜缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 484-487
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.024

摘要

描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类.对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉奎	中国电子科技集团公司第二十四研究所	18	135	6.0	11.0
2	王胜强		2	10	1.0	2.0
3	黄磊		2	14	2.0	2.0
4	刘道广	中国电子科技集团公司第二十四研究所	7	63	4.0	7.0