Si衬底上磁控溅射法生长MgO薄膜

• 作者: 叶宇达 吴培亨 康琳 赵少奇
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgO 射频磁控溅射 0.812nm 0.421nm
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 1976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.008

摘要

我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	康琳	南京大学电子系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
3	赵少奇	南京大学电子系超导电子学研究所	5	49	3.0	5.0
4	叶宇达	南京大学现代分析中心	7	53	3.0	7.0