利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅

• 作者: 李禹奉 李貞烈 柳在一 金原奭 金雄聖
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 纳米晶硅 等离子增强化学汽相沉积 电导率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 433-438
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006

摘要

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.