等离子增强化学气相沉积法低温生长SiOx薄膜的针孔缺陷修复

• 作者: 冷兴龙 刘键 杜鹃 胡跃明
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜封装 针孔缺陷 水汽渗透率
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 4126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0112

摘要

针对等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法低温(60 ℃)生长氧化硅(SiOx)薄膜中存在的针孔缺陷,在SiOx薄膜上采取原子层沉积(ALD)方法生长氧化铝(A1Oy),利用ALD方法材料保形生长的特点,进行SiOx薄膜的针孔缺陷修复工艺技术研究.实验结果表明:在SiOx薄膜上利用ALD方法保形生长氧化铝,可以明显降低AlOy/SiOx复合薄膜的水汽渗透率,提高薄膜封装性能.通过实验数据分析认为:复合薄膜的水汽阻隔能力是由于ALD方法及PECVD方法两种薄膜生长方法的综合作用,这种综合作用很有可能来自PECVD方法薄膜中针孔缺陷的修复,而ALD方法正是完成修复过程的技术手段.另外,ALD方法的工艺参数与针孔缺陷的修复效果相关,ALD生长周期时间延长,有利于提高针孔缺陷的修复效果,从而降低了复合薄膜的水汽渗透率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡跃明	华南理工大学自动化科学与工程学院	147	1905	22.0	37.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	冷兴龙	中国科学院微电子研究所	3	2	1.0	1.0
4	杜鹃	华南理工大学自动化科学与工程学院	1	0	0.0	0.0