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摘要:
采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜.将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400 ℃,600 ℃,800 ℃和1 000 ℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响.发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800 ℃开始有晶相出现,Si-C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化.PL谱中的三个峰:322 nm起源于薄膜中的中性氧空缺,370 nm起源于SiC发光,412 nm起源于薄膜中的C簇.
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文献信息
篇名 退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 SiC 薄膜结构 磁控溅射 退火温度 光致发光特性
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 薄膜技术
研究方向 页码范围 23-26
页数 4页 分类号 TN304.055
字数 2764字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴雪梅 苏州大学物理系 72 331 9.0 13.0
2 诸葛兰剑 苏州大学分析测试中心 59 199 8.0 11.0
3 沙振东 苏州大学物理系 1 19 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiC
薄膜结构
磁控溅射
退火温度
光致发光特性
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
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