退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响

• 作者: 吴雪梅 沙振东 诸葛兰剑
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 薄膜结构 磁控溅射 退火温度 光致发光特性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2764字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜.将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400 ℃,600 ℃,800 ℃和1 000 ℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响.发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800 ℃开始有晶相出现,Si-C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化.PL谱中的三个峰:322 nm起源于薄膜中的中性氧空缺,370 nm起源于SiC发光,412 nm起源于薄膜中的C簇.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
2	诸葛兰剑	苏州大学分析测试中心	59	199	8.0	11.0
3	沙振东	苏州大学物理系	1	19	1.0	1.0