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退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响
退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响
作者:
吴雪梅
沙振东
诸葛兰剑
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiC
薄膜结构
磁控溅射
退火温度
光致发光特性
摘要:
采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜.将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400 ℃,600 ℃,800 ℃和1 000 ℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响.发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800 ℃开始有晶相出现,Si-C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化.PL谱中的三个峰:322 nm起源于薄膜中的中性氧空缺,370 nm起源于SiC发光,412 nm起源于薄膜中的C簇.
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文献信息
篇名
退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响
来源期刊
微细加工技术
学科
工学
关键词
SiC
薄膜结构
磁控溅射
退火温度
光致发光特性
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
薄膜技术
研究方向
页码范围
23-26
页数
4页
分类号
TN304.055
字数
2764字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吴雪梅
苏州大学物理系
72
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9.0
13.0
2
诸葛兰剑
苏州大学分析测试中心
59
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8.0
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沙振东
苏州大学物理系
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研究主题发展历程
节点文献
SiC
薄膜结构
磁控溅射
退火温度
光致发光特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第48研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1003-8213
CN:
43-1140/TN
开本:
大16开
出版地:
湖南省长沙市
邮发代号:
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
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