GaAs霍尔器件γ和β射线辐照研究

• 作者: 杨渭 王军
• 来源期刊: 青岛大学学报（自然科学版）
• 学科: 地球科学
• 关键词: γ和β射线辐照 GaAs霍尔器件 电阻 霍尔灵敏度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: O472.5|X34
• 字数: 2254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1037.2006.02.008

摘要

用γ和β射线分别对GaAs霍尔器件进行不同时间的辐照,测定了辐照前后器件的输入电阻、输出电阻、霍尔灵敏度等电磁参数.结果表明:γ和β射线辐照使器件的输入、输出电阻增加,但霍尔灵敏度可能增加也可能减小,其与射线种类、辐照时间密切相关.具体分析认为,射线辐照使材料表面及内部结构改变,进而引起载流子浓度、迁移率等的变化,最终导致器件的宏观电磁参数发生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	中国石油大学物理科学与技术学院	189	776	14.0	23.0
2	杨渭	中国石油大学物理科学与技术学院	6	3	1.0	1.0