生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术

• 作者: 何华云 胡晓宇
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 压力控制 薄膜 界面 LED 多量子阱
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: IC制造设备
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3463字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2006.12.013

摘要

反应室压力控制稳定是保证工艺重复性和陡峭界面生长的关键之一.分析了影响压力控制精度的主要因素,介绍了采用软件、硬件结合的方法,通过闭环压力控制、差压控制、高精度流量控制和补偿气路设计等技术手段,实现高精度压力稳定性和无扰动气体切换,首次在国产生产型GaN-MOCVD(6片机)设备上生长出高质量的多量子阱蓝光LED外延材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宇	中国电子科技集团公司第四十八研究所	13	56	4.0	7.0
2	何华云	中国电子科技集团公司第四十八研究所	11	38	3.0	6.0