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摘要:
在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了掺Si的n型Al0.45Ga0.55N外延层,透射光谱表明材料对280nm以前紫外光显著吸收;双晶摇摆曲线表明材料存在大量缺陷.用此材料制作了光电导探测器,结合材料讨论了持续光电导效应的产生机理.
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高跨导AlGaN/GaN HEMT器件
AlGaN/GaN
HEMTs
跨导
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 高Al组分AlGaN及其光导器件
来源期刊 激光与红外 学科 工学
关键词 AlGaN 紫外光 持续光电导性
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 868-870
页数 3页 分类号 TN36|TN23
字数 1877字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5078.2006.09.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 龚海梅 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所 11 35 4.0 5.0
2 陈俊 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所 2 16 2.0 2.0
3 陈亮 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所 3 8 2.0 2.0
4 许金通 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所 2 3 1.0 1.0
5 白云 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN
紫外光
持续光电导性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光与红外
月刊
1001-5078
11-2436/TN
大16开
北京8511信箱《激光与红外》杂志社
2-312
1971
chi
出版文献量(篇)
5805
总下载数(次)
16
总被引数(次)
44711
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