HMDSO/H2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究

• 作者: 丁斯晔 丁芳 周海洋 朱晓东 温晓辉 颜官超
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: α-SiC 纳米 HMDSO
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 326-329
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.04.016

摘要

本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究.运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析.结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米α-SiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy:H成分中.薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善.高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了α-SiC晶体的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱晓东	中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系	33	346	8.0	18.0
2	周海洋	中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系	8	51	5.0	7.0
3	颜官超	中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系	1	1	1.0	1.0
4	丁斯晔	中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系	9	13	2.0	3.0
5	温晓辉	中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系	8	34	4.0	5.0