退火处理对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响

• 作者: 李清山 潘志峰 袁一方
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 晶体结构 导电性能 退火
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与配件
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2006.01.015

摘要

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,将该样品进行退火处理,并测量了样品的导电性能,结果显示退火处理可以引起薄膜的重结晶,从而改善薄膜的结晶状况,改变薄膜中的化学配比.退火后样品的薄膜电阻相对较小,增加了薄膜中施主的浓度,增强了薄膜的导电性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁一方	上海理工大学光电学院	80	554	14.0	20.0
2	李清山	曲阜师范大学物理工程学院	57	249	9.0	12.0
3	潘志峰	上海理工大学光电学院	31	148	7.0	10.0