一种带功率检测的TD-SCDMA锗硅功率放大器

• 作者: 严利人 刘志弘 周卫 胡庆钟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 锗硅 功率检测 TD-SCDMA
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: SiGe技术专题
• 页码范围: 584-587
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.1+6|TN402
• 字数: 2045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.011

摘要

设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器.该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成.对于码分多址环境,功率放大器提供28 dBm的功率输出,实现34.8%的功率附加效率(PAE),另外,在28 dBm的输出功率下,邻道功率泄漏比(ACPR)小于-35 dBc.该功率放大器同时包括动态控制偏置电路和完全集成的功率检测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严利人	清华大学微电子学研究所	26	81	5.0	8.0
2	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
3	周卫	清华大学微电子学研究所	10	64	4.0	7.0
4	胡庆钟	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0