射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响

• 作者: 刘技文 李娟 许京军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC薄膜 磁控溅射 工艺参数 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 558-563
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 3367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.05.013

摘要

采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜.采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构.采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能.发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许京军	南开大学物理学院	80	471	12.0	17.0
2	刘技文	南开大学物理学院	2	21	2.0	2.0
6	李娟	天津理工大学材料物理研究所	12	92	5.0	9.0