原子层沉积技术及其在半导体中的应用

• 作者: 刘雄英 申灿 黄光周
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积 前驱体 半导体
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.8|TB43
• 字数: 5131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.04.001

摘要

首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用.同时指出了目前ALD工艺中存在的主要问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄光周	华南理工大学电子与信息学院	26	189	9.0	13.0
2	刘雄英	华南理工大学电子与信息学院	33	354	11.0	18.0
3	申灿	华南理工大学电子与信息学院	2	30	2.0	2.0