低位线摆幅的低功耗SRAM设计

• 作者: 杨军 薛骏 顾明
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗 位线摆幅 动态功耗 静态噪声容限 LVBS SRAM
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2006.06.016

摘要

本文提出了一种低位线摆幅(LVBS)的低功耗SRAM结构.这种SRAM采用电荷分享方法降低位线电压幅值,在写操作时使得位线电压摆幅减少了50%,从而显著降低了位线动态功耗.同时本文还分析了由于位线电压降低带来的静态噪声容限(SNM)等问题.实验结果表明相比较常规SRAM,LVBS SRAM可以节约30%的动态功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨军	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	210	2336	24.0	38.0
2	顾明	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	11	36	4.0	5.0
3	薛骏	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	3	9	2.0	3.0