ZnO/SiC/Si异质结构的特性

• 作者: 傅竹西 姚然 林碧霞 段理
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 化学
• 关键词: 无机非金属材料 ZnO薄膜 SiC缓冲层 异质外延 结构特性
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 259-261
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 1829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.008

摘要

用MOCVD方法在p型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	段理	中国科学技术大学物理系	7	68	5.0	7.0
3	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
4	姚然	中国科学技术大学物理系	10	44	4.0	6.0