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摘要:
研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充(PSF)效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光偏振态的主轴瞬态旋转角.计算结果表明,在100 pJ飞秒脉冲抽运下该全光开关理论旋转角最大可达60°.
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文献信息
篇名 基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关的研究
来源期刊 光学与光电技术 学科 工学
关键词 全光偏振开关 激子饱和 相空间填充 抽运-探测
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 17-20
页数 4页 分类号 TN256|TN305
字数 2412字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-3392.2006.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王涛 华中科技大学光电子工程系 242 1347 16.0 25.0
2 李安 华中科技大学光电子工程系 6 24 3.0 4.0
传播情况
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
全光偏振开关
激子饱和
相空间填充
抽运-探测
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
总下载数(次)
3
总被引数(次)
9791
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