Au/(Si/SiO2)/p-Si薄膜中电流及电致发光机制的分析

• 作者: 张开彪 陈海霞 马书懿 马自军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 Fowler-Nordheim(F-N)隧穿 位形坐标
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3|O482.3|O484.4
• 字数: 1486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.02.003

摘要

用射频磁控溅射法制备了具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SiO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,Au膜中的电子和p型Si中的空穴在较高的电场下以Fowler-Nordheim(F-N)隧穿方式进入SiO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张开彪	西北师范大学物理与电子工程学院	6	10	2.0	2.0
2	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
3	陈海霞	西北师范大学物理与电子工程学院	11	38	3.0	5.0
4	马自军	西北师范大学物理与电子工程学院	5	6	2.0	2.0