一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器

• 作者: 叶甜春 尹军舰 张海英 朱旻 杨浩 黄华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 增强型赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2080-2084
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.003

摘要

报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在50Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在3.5～4.3GHz频率范围内,噪声系数小于0.9dB,增益大于26dB,回波损耗小于-10dB.这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器,它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型赝配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
4	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
5	朱旻	中国科学院微电子研究所	18	38	4.0	4.0
6	黄华	中国科学院微电子研究所	18	454	7.0	18.0