MOSFET表面势解析近似方法的改进

• 作者: 吴文刚 王志功 陆静学 黄风义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 表面势 解析近似 器件建模
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1155-1158
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 1228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.001

摘要

通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	吴文刚	北京大学微电子学研究院	10	81	3.0	9.0
3	黄风义	东南大学射频与光电集成电路研究所	17	38	4.0	4.0
4	陆静学	东南大学射频与光电集成电路研究所	3	6	2.0	2.0