立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光

• 作者: 张铁臣 曹昆 窦庆萍 贾刚 陈占国 马海涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: n型立方氮化硼 非线性伏安特性 空间电荷限制电流 能谷间电子跃迁
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 609-612
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.006

摘要

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.