降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法

• 作者: 杨华中 林海 汪玉 汪蕙 罗嵘
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 泄漏电流 细粒度 休眠晶体管 延时模型 混和整数线性规划
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 258-265
• 页数: 8页
• 分类号: TN406
• 字数: 1165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.012

摘要

首先给出一种泄漏电流和延时的简化模型,并且在此基础上提出了一种降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法.该方法的核心是利用混合整数线性规划方法同时确定插入细粒度休眠晶体管的位置和尺寸.从实验结果可以发现,由于这种方法更好地利用了电路中的延时余量,所以在电路性能不受影响的情况下可以减小79.75%的泄漏电流;并且在一定范围内放宽电路的延时约束可以更大幅度地降低泄漏电流.与传统的固定放宽延时约束的方法相比较,当延时约束放宽7%时,这种方法可以节约74.79%的面积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗嵘	清华大学电子工程系	31	121	7.0	10.0
2	杨华中	清华大学电子工程系	92	500	13.0	16.0
3	汪蕙	清华大学电子工程系	38	398	11.0	19.0
4	汪玉	清华大学电子工程系	4	1	1.0	1.0
5	林海	清华大学电子工程系	2	7	1.0	2.0