InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展

• 作者: 孙晓玮 徐安怀 林玲 齐鸣
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN385
• 字数: 3845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.12.002

摘要

概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
2	林玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	16	132	6.0	11.0
6	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	34	145	8.0	9.0
7	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	94	7.0	8.0