ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型

• 作者: 宋志棠 封松林 张楷亮 钟旻
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 平坦化 材料去除机制 模型 集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与分析
• 页码范围: 170-173
• 页数: 4页
• 分类号: TH11
• 字数: 4853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2006.05.057

摘要

CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点.综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较.最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望.