硬脆晶体基片化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制研究

• 作者: 康仁科 杜家熙 王占合 苏建修 马利杰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硬脆晶体基片 化学机械抛光 非均匀性
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 1130-1137
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 4364字
• 语种: 中文

摘要

本文主要对基片内材料去除非均匀性的形成机理进行了深入的研究；首先分析了化学机械抛光(CMP)时抛光机运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律,然后进行了基片内材料去除非均匀性实验,通过实验得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响；通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果的曲线性质不匹配,而只有抛光液中的磨粒在基片表面的运动轨迹分布密度非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果曲线趋势相同；研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布密度非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	马利杰	河南科技学院机电学院	42	143	6.0	9.0
3	杜家熙	河南科技学院机电学院	31	156	8.0	12.0
4	苏建修	河南科技学院机电学院	43	283	9.0	15.0
5	王占合	河南科技学院机电学院	7	27	2.0	5.0